记忆体 Samsung 首发 1znm 的 8Gb DD

记忆体技术上,Samsung 不久前首发了 12GB LPDDR4X 记忆体,使用的是二代 10nm 级製程也就是 1ynm 製程製造,现在它基于第三代 10nm 级製程也就是 1znm 製程製造的 DDR4 DRAM 记忆体也来了。

记忆体  Samsung 首发 1znm 的 8Gb DD

Samsung 宣布他们已经开发出 1znm 製程的 8Gb DDR4 DRAM 记忆体,据称,1znm 製程製造的 8Gb DDR4 晶片在生产效率上较1ynm製程提升了20%。10nm 级製程并不是 10nm 製程,由于 20nm 节点之后 DRAM 的製程升级变得困难,所以 DRAM 记忆体製程的线宽指标不再那么精确,于是有了 1xnm、1ynm 及 1znm 之分,简单来说 1xnm 製程相当于 16-19nm,1ynm 製程相当于 14-16nm,1znm 製程大概是 12-14nm 级别,而在这之后还有 1α 及 1β 製程。

记忆体  Samsung 首发 1znm 的 8Gb DD

Samsung 计划在今年下半年开始大规模量产 1znm 製程的 8Gb DDR4 DRAM 记忆体,以用于预计将于2020年推出的下一代企业伺服器器和高阶 PC 应用。Samsung 还将增加其产量,以“满足对最先进 DRAM 产品不断增长的需求”。但是现在并看不到市场对于 DRAM 记忆体有更大需求的增长,由于智慧型手机及经济环境的变化导致需求放缓,再加上厂商库存增加,从去年 Q4 季度以来,DRAM 记忆体的价格就已经开始由涨转跌。前几天的调研报告称 Q1 季度记忆体合约价跌幅高达30%,并且预计今年上半年都会持续走低,目前业界的说法是下半年才有可能恢复正常。